目前，全球 DRAM 市场由三星、SK 海力士以及美光三巨头垄断。在 AI 算力与基础设施爆发的超级存储周期推动下，三大厂商在未来几年（2026—2027年及以后）均制定了极其激进的资本支出 (CapEx) 计划：

其中三星和 SK 海力士预计未来 10 年在韩国本土投资超过 2000兆韩元，约合 3.56万亿美元。纵观各厂商支出领域：

• 厂房和无尘室等基础设施投资占大头，为承载更庞大的 HBM 封装和高阶 DRAM 产能，全行业步入厂房扩建期。厂房基建的周期通常为 2～3年，到 2028 年之前，全球存储慌大概率无法缓解。2028 年之后，要看 AI 产业上游厂商（Google、Meta、 微软、Anthropic等）的资本支出是否依然维持高增长，否则存储周期到顶。

• HBM 和先进封装设备大约占总投资 1/3，主要用于采购 TSV（硅通孔）、临时键合（Temporary Bonding）和各类后道封装设备。存储厂商将加速从 HBM3E 向 HBM4 过渡，抢占技术壁垒最高 HBM4 供应链位置。

• 约 20% 支出将投资高阶 DRAM 晶圆，目标是 DRAM 扩产，满足服务器市场 DDR5 的需求缺口，而且 HBM 的良率、晶圆消耗，远甚于 DDR5。即使未来 DRAM 扩产，只要 AI 产业支出不减，DDR5 的产能大概率依然被 HBM 挤压。

总结

存储厂商的资本支出，可以看到如下趋势：

• 产能扩充：押注 AI 对显存、服务器内存的需求持续增长。
• AI优先：扩充产能主要为 HBM3E 及下一代 HBM4，存储厂商对下一代 GPU 信心充足，优先满足 AI 需求。

存储市场的未来，产能爆发是确定的，存储能不能赚钱，还能赚多久的钱，取决于上游厂商是否可以找到 AI 持续盈利的证据，哪怕后续只是需求增幅放缓，对存储行业的打击也是致命的。